Le processeur SnapDragon 820 ferait l'objet d'optimisations approfondies pour éliminer les risques de surchauffe, quitte à l'équiper d'un refroidissement passif, pour l'intégrer dans son futur smartphone Galaxy S7.

Alors que le concepteur de puces mobiles Qualcomm s'est toujours tourné vers le fondeur taiwanais TSMC pour la production de ses composants mobiles, son futur SoC haut de gamme SnapDragon 820 sera au contraire gravé en 14 nm FinFET par le groupe Samsung.

Pour le géant coréen, c'est une chance de pouvoir compter sur des volumes de plusieurs dizaines de millions de processeurs à forte rentabilité et le Business Korea suggère que le groupe est prêt à tout pour éviter les erreurs du SnapDragon 810 de 2015 dont les premières moutures avaient connu des problèmes de surchauffe et conduit Samsung à compter uniquement sur son propre processeur Exynos 7420 pour l'ensemble de ses smartphones haut de gamme.

Et pour que le SnapDragon 820 soit une réussite commerciale et pouvoir l'intégrer dans le Galaxy S7, Samsung serait prêt à adapter le SoC en profondeur. Le Business Korea évoque la possibilité de lui ajouter par exemple un refroidissement passif et d'en modifier le microprogramme pour garantir la stabilité de la plate-forme qui exploitera pour la première fois des coeurs Kryo spécifiques.

Ces initiatives suggèrent que Samsung veut absolument exploiter le SnapDragon 820 dans son Galaxy S7, ce qui représenterait un coup double gagnant pour le fabricant, avec à la fois l'accès à un SoC haut de gamme doté de fonctionnalités de machine learning Zeroth préparant de nouveaux usages inédits, et la maîtrise de sa production, pour lui-même mais aussi pour les nombreux fabricants de smartphones qui comptent utiliser le processeur dans leurs futurs produits.